삼성전자가 데이터 저장 공간을 수직으로 쌓는 3D D램을 2030년까지 상용화해 D램 기술 주도권을 이어가겠다고 공언했다. 또 올해까지 고대역폭메모리(HBM) 누적 매출액 100억 달러를 달성하는 등 인공지능(AI) 메모리 분야에서도 경쟁력 고도화에 속도를 내고 있다고 강조했다.
김경륜 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 상무는 2일 자사 뉴스룸을 통해 “D램 기술 초격차 유지를 위해 10나노미터(㎚·10억분의 1m) 이하 D램에 수직 채널 트랜지스터(VCT)를 활용하는 새로운 구조를 선제적으로 연구하고 있다”며 “2030년에 이 기술을 상용화할 계획이다”고 밝혔다. 3D D램은 데이터를 저장하는 메모리 셀을 수평 방향 외에도 수직으로 쌓아 동일한 면적 내 셀 집적도를 높이는 차세대 기술이다.
이 기술은 인공지능(AI) 시대를 맞아 기존 수평 구조의 D램이 기술적 장벽에 직면한 상황에서 더욱 각광받고 있다. AI 컴퓨팅에 필요한 메모리 성능은 급격히 높아지는데 2D 패러다임으로는 미세화에 한계가 있어 집적도를 끌어올리기 쉽지 않다. 삼성전자는 수직 적층 기술을 선도해 D램 시장 초격차를 이어간다는 방침이다. 김 상무는 “최근 몇 년 메모리 시장 침체에도 불구하고 자사는 기술 개발과 시설 투자에 자원을 아끼지 않았다”며 “삼성전자는 지난해 D램 시장의 41%, 낸드플래시는 32%의 시장 점유율을 기록하는 등 리더십을 이어가고 있다”고 말했다.
최근 메모리 업계의 화두인 HBM에 대해서는 높이에서의 강점을 강조했다. 특히 차세대 HBM인 HBM3E(5세대 HBM)에 대해 김 상무는 “삼성전자는 지난달 HBM3E 8단 제품을 양산하기 시작했고 고용량 제품 수요가 증가하는 추세에 발맞춰 업계 최초로 개발한 12단 제품도 2분기 내 양산할 예정”이라며 “앞으로 삼성전자는 성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 생산 능력 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 것이다”고 강조했다.
HBM외 여타 AI 메모리 솔루션에 대해서도 개발 현황을 소개했다. 그는 “기존 저전력더블데이터레이트(LPDDR) 대비 고대역폭을 가지고 있어 기기에서 생성되는 데이터를 실시간으로 처리할 수 있는 LLW(Low Latency Wide I/O)를 개발 중”이라고 말했다. 이어 “컴퓨터익스프레스링크(CXL) 메모리 생태계 구축을 위해서도 제품 개발 및 사업 협력을 선도하고 있다”고 덧붙였다.
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