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"영화 163편 1초 만에"···SK하이닉스, 초고사양 D램 개발

업계 최초 HBM3 개발, 시장 장악력 높여

고부가 프리미엄 D램 시장 적극 공략

슈퍼컴퓨터·데이터센터 등이 수요처





SK하이닉스(000660)가 현존하는 최고 사양 D램인 HBM3(사진)를 업계 최초로 개발하고 프리미엄 D램 시장 장악에 나섰다. 특수공정을 활용해 여러 개의 D램을 수직 연결한 HBM은 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 제품이다.

20일 SK하이닉스에 따르면 이번에 개발한 HBM3는 초당 819기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(풀HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있는 빠르기다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 향상됐다. 또한 오류 정정 코드가 내장돼 있어 D램 셀에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있는 기능도 갖췄다. HBM 4세대 제품으로 분류되는 이번 제품은 SK하이닉스가 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 나왔다. 양산은 빠르면 내년 2분기 전후로 알려졌다.



고사양 데이터센터를 비롯해 인공지능(AI) 연구를 위한 머신러닝 시스템이나 기후변화 해석, 신약 개발에 필요한 슈퍼 컴퓨터 등을 수요처로 두고 있는 HBM3는 특수한 패키징 기술로 만들어 냈다. 통상 일반적인 D램은 개별 칩으로 잘라낸 후 서로 이어 붙이고 리드 프레임을 더하는 패키징을 거치지만 HBM3는 웨이퍼 단계에서 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩에 난 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 TSV 기술이 적용됐다.

이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시된다. 업계 최대 용량인 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 3분의 1인 약 30마이크로미터(㎛) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결하는 방식을 활용했다. 차선용 SK하이닉스 부사장(D램개발담당)은 “세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편 ESG 경영에 부합하는 제품을 공급해 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다”고 말했다.
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