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[단독] 삼성전자, 3차원 D램 등 차세대 반도체 속도전…TSMC·인텔 협공 따돌린다

■8년만에 R&D센터 설립

반도체 사업 첫발 뗀 기흥에 구축

화성 연구소 가까워 시너지 기대

연구소 조직도 개편해 변화 시도

마이크론·YMTC 등 추격 누르고

12나노·EUV 등 미래 기술 도전

유럽 출장을 마친 이재용 삼성전자 부회장이 18일 서울 강서구 서울김포비즈니스항공센터(SGBAC)를 통해 귀국한 뒤 취재진의 질문에 답하고 있다. 연합뉴스




삼성전자의 새로운 기흥 연구개발(R&D) 센터 설립은 첨단 기술 선점을 강조한 이재용 삼성전자 부회장의 발언과 맞닿아 있어 주목된다. 이 부회장은 이달 18일 유럽 출장 귀국길에서 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라고 밝혔다. 그는 “네덜란드의 ASML과 벨기에의 종합 반도체연구소(imec·아이멕)에 가서 차세대·차차세대 반도체 기술이 어떻게 되는지 느낀 게 제일 중요했다”며 R&D와 핵심 장비 시설 구축의 중요성을 언급하기도 했다.

삼성전자 기흥 반도체 사업장. 사진 제공=삼성전자


이 부회장 뜻에 따라 최근 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문은 인프라 확대와 함께 R&D 분야에서 파격적인 변화를 시도하고 있다. 이달 2일 단행한 연구소 조직 개편이 대표적이다. 이번 개편은 지난해 12월 정기 임원 인사 이후 단 6개월 만에 실시한 이례적인 일이었다.

삼성전자는 해당 인사에서 반도체연구소 수장을 송재혁 플래시개발실장으로 교체했다. 또 기술 개발 역량의 전문화를 위해 메모리 기술 개발 조직인 메모리 TD실을 D램·플래시 TD실로 각각 분리했다. D램 TD실장은 박제민 부사장이, 플래시 TD실장은 장재훈 부사장이 각각 맡는다.



파운드리 사업부도 보직 인사가 있었다. 남석우 부사장을 신임 파운드리 제조기술센터장으로, 장성대 부사장을 글로벌 제조·인프라총괄 인프라기술센터장으로 선임했다.

보직 교체 외에도 인력 수 확대를 위한 노력도 눈에 띈다. DS 부문에서 첨단 반도체를 설계하는 시스템LSI사업부는 5년 후인 2027년까지 현재 연구 인력의 두 배 수준인 1만 7000명으로 늘린다는 목표를 세웠다. 이를 위해 인사팀뿐 아니라 사업을 총괄하는 사장까지 우수 인력 영입전에 뛰어들었다. 박용인 삼성전자 시스템LSI사업부 사장은 올 5월과 이달 초 대전 한국과학기술원(KAIST), 서울대를 직접 방문해 학생들에게 삼성전자 칩 설계 사업을 소개했다. 반도체 사업을 총괄하는 경계현 사장도 올 2월 회사 자체 채용 행사인 ‘삼성 T&C포럼’에 직접 나와 회사 문화와 임직원과의 소통 철학을 밝히기도 했다. 이 부회장도 18일 유럽 출장 귀국길에서 “불확실성 속 저희가 할 일은 좋은 인재를 모셔오는 것”이라며 우수 인력 확보에 대해 언급한 바 있다.

삼성전자는 인프라 강화와 인력 확보로 향후 기술 초격차 수성에 만전을 기할 것으로 보인다. 최근 초미세 회로 구현 한계로 경쟁 업체들이 빠른 속도로 기술을 추격하면서 삼성의 입지가 위협을 받고 있다는 지적이 업계 곳곳에서 나온다. D램 분야 3위 미국 마이크론 테크놀러지는 선두인 삼성전자보다 먼저 10나노 5세대급 D램을 올해 말 양산하겠다고 발표했다. SK하이닉스는 2020년 10월 인텔 낸드플래시 사업부를 10조 원에 인수하며 각종 낸드플래시 유무형 자산을 흡수했다. 양쯔메모리테크놀러지(YMTC) 등 중국 업체들의 약진도 경계해야 한다.

파운드리 분야에서도 TSMC가 최근 일본에 R&D 센터를 세우는 등 세계 전 지역에 걸쳐 R&D 인프라를 조성하고 있다. 미국 인텔, 중국 SMIC 등 이 산업의 다크호스 업체들도 파트너 사와의 협력이나 연구비 투자를 적극 늘려나가고 있다.

아울러 단기적인 기술 경쟁력 강화를 넘어 ‘차차세대’ 반도체 기술 준비에 박차를 가할 것으로 전망된다. 반도체 업계에서 미래 기술로 분류하는 3차원(3D) D램, 하이·뉴메리컬어퍼처(High·NA) 극자외선(EUV) 기술, 6억 화소 이미지센서 등은 독보적인 강자가 출현하지 않았다. 삼성전자는 지난해 12월 인사에서 차세대공정개발팀을 만들어 무주공산을 선점하기 위한 진용을 갖춘 바 있다.
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